IPD65R660CFD datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  IPD65R660CFD
• Производитель
  Infineon Technologies
• Описание
  Infineon Technologies IPD65R660CFD RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V Gate-Source Breakdown Voltage: 30 V Continuous Drain Current: 6 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.66 Ohms Configuration: Single Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-252 Fall Time: 10 ns Gate Charge Qg: 22 nC Power Dissipation: 63 W Rise Time: 8 ns Part # Aliases: IPD65R660CFDBTMA1 IPD65R660CFDXT SP000745024
• Количество страниц
  21 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  3,36 MB

IPD65R660CFD datasheet скачать

IPD65R660CFD datasheet